viernes, 3 de junio de 2011

Dos métodos de prueba de Mosfet

Dos tipos de pruebas de MOSFETS de
 
Método 1:
En primer lugar debe buscar  el número de pieza para el MOSFET que desea probar en línea, http://www.datasheetcatalog.com y adquirir la hoja de datos. Una vez que usted tiene la hoja de datos o de alguna manera han recibido el pliego de condiciones para el MOSFET, se están poniendo a prueba y conoce la configuración de pines, establezca su medidor análogo (tester o multímetro) a la gama x10k, para comprobar el MOSFET. Digamos que usted está probando un MOSFET de canal N, poner el cable negro de prueba en el perno de drenaje, y toque el pasador de la puerta con la punta de prueba roja. Esta será la capacidad de descarga MOSFETs en su interior. Luego coloque el cable rojo con el conector de la fuente, mientras mantiene el cable negro a la clavija de drenaje.
Ahora tome un dedo, mientras mantiene los cables de prueba en su lugar, rojo y negro de la fuente sobre la fuga y el uso que el dedo para tocar el pasador de la puerta, y el desagüe al mismo tiempo, la aguja analógica del multímetro, debe moverse desde el infinito hasta alrededor de la posición central del indicador de medidor. Teniendo el cable de prueba rojo de la clavija de la fuente, y colocando de nuevo en el origen de echar la aguja aún, debe volver a la media del indicador de medición. Para descargar el MOSFET, levantar el cable rojo de la fuente del perno y  toque con el conector de la puerta, este se descarga, será la capacidad interna de nuevo y si de nuevo colocar el cable rojo de prueba, en el pasador de la fuente y el cable negro a la clavija de drenaje, la aguja del indicador no debe moverse, y dar una lectura de resistencia infinita.
Prueba de un MOSFET de canal P, es el mismo que para un MOSFET de canal N, lo único invierta la polaridad de los cables de prueba para cada prueba.
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Método 2:
Usando un ohmiómetro establece en la escala de ohmios x 100, mida la resistencia entre el drenaje y la fuente, luego revertir los conductores y tome otra lectura entre el drenaje y la fuente. Ambas lecturas deben mostrar el infinito, independientemente de la polaridad del metro de plomo. Conecte el cable positivo del óhmetro a la puerta. Utilizando el cable negativo, mida la resistencia entre la puerta y el drenaje y luego entre la puerta y la fuente.Ambas lecturas deberán indicar el infinito. Desconecte el cable positivo de la puerta y conectar el cable negativo a la puerta. Utilizando el cable positivo, mida la resistencia entre la puerta y el drenaje y luego entre la puerta y la fuente. Ambas lecturas deberán indicar el infinito. Si el MOSFET tiene una conexión de sustrato, desconecte el cable negativo de la puerta y conéctelo al sustrato.
Utilizando el cable positivo, mida la resistencia entre el sustrato y de drenaje, así como entre el sustrato y la fuente. Ambas lecturas deberán indicar el infinito. Desconecte el cable negativo del sustrato y conectar el cable positivo al sustrato. Utilizando el cable negativo, mida la resistencia entre el sustrato y de drenaje, así como entre el sustrato y la fuente.Ambas lecturas se indicará una resistencia baja (alrededor de 1000 ohmios). La mayoría de los MOSFETs fallará por un cortocircuito del drenaje a la fuente y, a veces también tendrá un cortocircuito entre la puerta y la fuente, entre la puerta y el drenaje o en ambos.
Recuerde que usted siempre debe tratar de encontrar una hoja de datos para el MOSFET está probando, ya que se encuentran algunos MOSFETs tendrá diferentes características que harán que las lecturas de la prueba un poco diferente. Por ejemplo, el FQPF9N50CF tiene un diodo del cuerpo entre la fuente y de drenaje, de modo que cuando la prueba se obtiene una lectura en una dirección entre la fuente y el drenaje en el establecimiento de ohmios x 100 y esto es normal.
Siempre trate de usar los reemplazos exactos cuando se reemplaza un MOSFET mal. Si tiene que usar un sustituto reemplace siempre con el mismo tipo (de canal N, el canal P, el modo de mejora, etc. ...) y sustituirlo por el BVDSS igual o mayor (fuga de voltaje de la fuente de distribución) y el mismo ID o superior (fuga de corriente continua ). Además, si usted sustituye un MOSFET utilizado en un puente medio que utiliza dos MOSFETs idénticos sustituir tanto los MOSFETs en el puente de la mitad de lo que tanto de los MOSFETs son los mismos, no basta con sustituir el malo en este caso.
Espero que hayan disfrutado este artículo y no te olvides de visitar mi web a continuación para todo tipo de información electrónica de gran reparación.


4 comentarios:

  1. VERDADERAMENTE GENIAL Y DE MUCHA UTILIDAD, ESTO ES LO QUE SE LLAMA UN METODO DIDÁCTICO DE GRADO SUPERIOR ON LINE, TENÍA DOS HORAS BUSCANDO EN INTERNET ESTA RESPUESTA Y GRACIAS A USTEDES LA TENGO, FELICIDADES QUEDO AGRADECIDO, DEJO MI CORREO ELECTÓNICO PARA ESTAR EN CONTACTO CON USTEDES :
    cama8a@yahoo.com.mx
    SALUDOS CARLOS MANUEL

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  2. excelente... solo que los 2 metodos deben ser complementarios o para diagnosticar solo empleando uno de ellos sera suficiente para el diagnostico??

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  3. excelelnte publicación que nos sirve de gran ayuda

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